Приёмники оптического изображения



         

ПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ - часть 2


При отсутствии освещения сопротивление ра­бочего слоя велико и электрический заряд накапливается на противоположных обкладках конденсатора. Со стороны элект­ронного луча потенциал обкладки будет равен потенциалу като­да, т. е. 0, в то время как с противоположной стороны он равен Uраб. При освещении мишени сопротивление фоточувствитель­ного материала уменьшается и конденсатор будет разряжаться. Сопротивления слоев и их толщина подобраны таким образом,чтобы за время сканирования од­ного кадра растекание заряда по площади мишени было невелико. Тогда   разрядка   будет  происхо­дить только в том месте, куда падает свет. Когда электронный луч достигнет «разряженной» об­ласти,  он будет ее дозаряжать, вызывая ток  через конденсатор (рабочую мишень) и через нагру­зочное сопротивление Rн. Сумма протекающего заряда будет зави­сеть от того, насколько разрядил­ся конденсатор, т. е. суммой све­та, падающего в данном месте на фоточувствительную мишень. Электрический сигнал, снимае­мый с нагрузочного сопротивле­ния, пропорционален    протекающему через мишень току, т. е. освещенности мишени в том месте, куда падает электронный луч. Сканируя электронным лучом по поверхности мишени, мы таким образом преобразуем оптическое изображение в электрический сигнал.

Недостатком описанной выше трубки типа «видикон» являет­ся большое значение темнового тока. Этот недостаток отсутству­ет в трубке, получившей название «плюмбикон». Принцип дейст­вия этой трубки такой же, но рабочая мишень «плюмбикона» представляет собой слоистую p-i-n-структуру, изготовленную на основе окиси свинца РЬО (отсюда — название трубки), как показано на рис. 11.22, а. Прозрачный слой SnO2 выполняет роль контакта p-типа. С противоположной поверхности слой РЬО обогащен кислородом, что создает p-тип электропрово­дности. На n-SnO2 подается положительный потенциал Uраб, смещающий p-i-n-структуру в обратном направлении. Поэтому темновой ток мал.

Ширина запрещенной зоны РbО — около 2 эВ.


Содержание  Назад  Вперед